Galium nitrida

Galium nitrida (GaN) adalah semikonduktor celah pita langsung biner III/V yang umum digunakan dalam dioda pemancar cahaya biru sejak tahun 1990-an. Senyawa ini merupakan material yang sangat keras dengan struktur kristal Wurtzite. Celah pita lebarnya, yaitu 3,4 eV, memberikannya sifat-sifat khusus untuk aplikasi optoelektronika, perangkat berdaya dan berfrekuensi tinggi. Sebagai contoh, GaN adalah substrat yang memungkinkan dioda laser ungu (405 nm), tanpa memerlukan penggandaan frekuensi optik nonlinier.

GaN crystal
Transistor mobilitas elektron tinggi GaN (diproduksi oleh Ferdinand-Braun-Institut)
Pengisi daya dinding GaN USB-PD untuk barang elektronik konsumen, seperti ponsel pintar

Sensitivitasnya terhadap radiasi pengion rendah (seperti nitrida golongan III lainnya), sehingga menjadikannya material yang cocok untuk susunan sel surya satelit. Aplikasi militer dan antariksa juga dapat diuntungkan karena perangkat telah menunjukkan stabilitas di lingkungan radiasi tinggi.[1][2][3][4][5]

Karena transistor GaN dapat beroperasi pada suhu dan tegangan yang jauh lebih tinggi daripada transistor galium arsenida (GaAs), transistor ini ideal untuk penguat daya pada frekuensi gelombang mikro. Selain itu, GaN menawarkan karakteristik yang menjanjikan untuk perangkat THz. Karena kepadatan daya yang tinggi dan batas tegangan tembus, GaN juga muncul sebagai kandidat yang menjanjikan untuk aplikasi stasiun pangkalan seluler 5G. Sejak awal tahun 2020-an, transistor daya GaN semakin banyak digunakan dalam catu daya peralatan elektronik, mengubah listrik AC menjadi DC tegangan rendah.

Referensi

  1. ^ Czelej, K. (2024). "Atomistic Origins of Various Luminescent Centers and n-Type Conductivity in GaN: Exploring the Point Defects Induced by Cr, Mn, and O through an Ab Initio Thermodynamic Approach". Chemistry of Materials. 36 (13): 6392–6409. doi:10.1021/acs.chemmater.4c00178. PMC 11238542.
  2. ^ Di Carlo, A. (2001). "Tuning Optical Properties of GaN-Based Nanostructures by Charge Screening". Physica Status Solidi A. 183 (1): 81–85. Bibcode:2001PSSAR.183...81D. doi:10.1002/1521-396X(200101)183:1<81::AID-PSSA81>3.0.CO;2-N.
  3. ^ Arakawa, Y. (2002). "Progress in GaN-based quantum dots for optoelectronics applications". IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 8 (4): 823–832. Bibcode:2002IJSTQ...8..823A. doi:10.1109/JSTQE.2002.801675.
  4. ^ Lidow, Alexander; Witcher, J. Brandon; Smalley, Ken (March 2011). "Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN) FET Characteristics under Long Term Stress" (PDF). GOMAC Tech Conference.
  5. ^ Ahi, Kiarash (September 2017). "Review of GaN-based devices for terahertz operation". Optical Engineering. 56 (9): 090901. Bibcode:2017OptEn..56i0901A. doi:10.1117/1.OE.56.9.090901 – via SPIE.

Content Disclaimer

Informasi ini disarikan dari Wikipedia dan disajikan kembali untuk tujuan edukasi. Konten tersedia di bawah lisensi CC BY-SA 3.0. Kami tidak bertanggung jawab atas ketidakakuratan data yang bersumber dari kontribusi publik tersebut.

  1. The information displayed on this website is sourced in part or in whole from Wikipedia and has been adapted for the purpose of restating it. We strive to provide accurate and relevant information, however:
  2. There is no guarantee of absolute accuracy. Wikipedia is an open, collaborative project that can be edited by anyone, so information is subject to change.
  3. It is not intended to constitute professional advice. The content displayed is for informational and educational purposes only. For important decisions (e.g., medical, legal, or financial), please consult a professional.
  4. Content copyright. Wikipedia is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike License (CC BY-SA). This means that content may be reused with appropriate attribution and shared under a similar license.
  5. Responsible use. Any risk arising from the use of information from this website is entirely the responsibility of the user.
Kembali kehalaman sebelumnya