Dewetting

Dewetting – proces fizyczny polegający na cofaniu się cieczy lub cienkiej warstwy materiału z powierzchni stałej, którą początkowo pokrywała. Zjawisko to jest przeciwieństwem zwilżania i zachodzi, gdy warunki energetyczne sprzyjają zmniejszeniu powierzchni kontaktu między warstwą a podłożem.

W literaturze polskojęzycznej termin najczęściej występuje w oryginalnej formie dewetting (np. „proces dewettingu cienkich warstw”), rzadziej jako „utrata zwilżania” lub „odzwilżanie”.

Podstawy fizyczne

Proces dewettingu jest determinowany przez równowagę napięć międzyfazowych. Kluczową wielkością opisującą stabilność filmu jest współczynnik rozprzestrzeniania się:

gdzie:

  • – napięcie powierzchniowe między fazą stałą a gazową,
  • – napięcie między fazą stałą a cieczą,
  • – napięcie powierzchniowe ciecz–gaz.

Jeżeli , film jest niestabilny i może ulegać dewettingowi[1].

Mechanizmy dewettingu

Dewetting może zachodzić poprzez różne mechanizmy:

  • heterogeniczna nukleacja otworów – w filmie pojawiają się lokalne obszary odsłonięcia podłoża, które następnie rosną;
  • spinodalny dewetting – spontaniczny wzrost fluktuacji grubości filmu prowadzący do jego rozpadu;
  • agregacja materiału w formę kropli lub wysp.

Dewetting w ciałach stałych

Proces ten występuje również w cienkich filmach ciał stałych poniżej temperatury topnienia (solid-state dewetting). W takich przypadkach ciągła warstwa rozpada się na oddzielne wyspy w wyniku minimalizacji energii powierzchniowej,[2] co jest napędzane mechanizmami dyfuzji powierzchniowej i napięciami na krawędziach filmu.

Mechanizmy te mają istotne znaczenie w mikroelektronice oraz technologii cienkich warstw,[3] zarówno z punktu widzenia kontroli integralności warstw, jak i tworzenia nanostruktur o kontrolowanych rozmiarach i rozmieszczeniu.

Sposoby kontroli dewettingu

Aktualnie znane są różne sposoby sterowania tym procesem które pozwalają wpływać na morfologię powstających struktur i kinetykę cofania się filmu:

1. Wpływ naprężeń (strain) w warstwach: Badania wykazały, że początkowe naprężenia w filmie mają znaczący wpływ na dewetting – wyższy poziom naprężenia zmniejsza wielkość powstałych agregatów i zwiększa ich gęstość, a także może prowadzić do wydłużenia kształtu wysp wzdłuż określonych kierunków krystalograficznych.[4]

2. Warstwa węglowa jako modyfikator powierzchni: Dodanie cienkiej warstwy węglowej (np. ≤1 nm) na film krzemowy przed wygrzewaniem może zmieniać proces dewettingu, wpływając na ostateczny rozmiar oraz gęstość nanokrystalicznych agregatów.[5]

3. Implantacja argonu: Wstępne implantowanie jonów argonu w filmie przed dewettingiem jest skutecznym sposobem kontroli wielkości i gęstości nanokrystalicznych struktur powstałych po dewettingu. Wyższa dawka implantacji powoduje tworzenie mniejszych, gęściej rozmieszczonych wysp.[6]

4. Kontrola składu ultracienkich filmów SiGe: W filmach SiGe, dewetting można wykorzystać do formowania nanokrystalicznych wysp o kontrolowanym stosunku Si/Ge. Pozwala to uzyskać pożądany skład nanokrystalicznych wysp, co jest istotne dla ich właściwości elektronicznych i optycznych.[7]

Zastosowania

Kontrola procesów dewettingu jest wykorzystywana m.in. w:

  • wytwarzaniu mikro- i nanostruktur,
  • technikach drukowania cienkich warstw,
  • projektowaniu powłok funkcjonalnych,
  • technologii ogniw paliwowych.

Zobacz też

Przypisy

  1. Milton J. Rosen: Surfactants and Interfacial Phenomena. Wiley-Interscience, 2004, s. 244.
  2. F. Leroy, Ł. Borowik, F. Cheynis. How to control solid state dewetting: A short review. „Surface Science Reports”. 71 (2), s. 391–409, 2016. DOI: 10.1016/j.surfrep.2016.03.002. 
  3. Bowen Song, Antonio Bertei. Unveiling the mechanisms of solid-state dewetting in Solid Oxide Cells with novel 2D electrodes. „Journal of Power Sources”. 420, s. 124–133, 2019. DOI: 10.1016/j.jpowsour.2019.02.068. 
  4. N. Chevalier, D. Mariolle. The influence of strain on dewetting of silicon films. „Journal of Applied Physics”. 114, s. 063502, 2013. DOI: 10.1063/1.4817652. 
  5. Ł. Borowik, F. Bertin. Engineering the size and density of silicon agglomerates by controlling the initial surface carbonated contamination. „Applied Surface Science”. 270, s. 295–300, 2013. DOI: 10.1016/j.apsusc.2013.01.016. 
  6. Y. Almadori, J.-C. Barbé. Effect of argon implantation on solid-state dewetting: control of size and surface density of silicon nanocrystals. „Nanotechnology”. 28, 2017. DOI: 10.1088/1361-6528/28/4/045306. 
  7. Y. Almadori, Ł. Borowik, N. Chevalier. From Solid-State Dewetting of Ultrathin, Compressively Strained Silicon−Germanium-on-Insulator Films to Mastering the Stoichiometry of Si1−xGex Nanocrystals. „Journal of Physical Chemistry C”. 120, s. 7412–7420, 2016. DOI: 10.1021/acs.jpcc.6b01093. 

Content Disclaimer

Informasi ini disarikan dari Wikipedia dan disajikan kembali untuk tujuan edukasi. Konten tersedia di bawah lisensi CC BY-SA 3.0. Kami tidak bertanggung jawab atas ketidakakuratan data yang bersumber dari kontribusi publik tersebut.

  1. The information displayed on this website is sourced in part or in whole from Wikipedia and has been adapted for the purpose of restating it. We strive to provide accurate and relevant information, however:
  2. There is no guarantee of absolute accuracy. Wikipedia is an open, collaborative project that can be edited by anyone, so information is subject to change.
  3. It is not intended to constitute professional advice. The content displayed is for informational and educational purposes only. For important decisions (e.g., medical, legal, or financial), please consult a professional.
  4. Content copyright. Wikipedia is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike License (CC BY-SA). This means that content may be reused with appropriate attribution and shared under a similar license.
  5. Responsible use. Any risk arising from the use of information from this website is entirely the responsibility of the user.
Kembali kehalaman sebelumnya