Multi Level Cell

Multi Level Cell, MLC (z ang. komórka o wielu poziomach, komórka wielostanowa) – technologia pamięci flash. Cechuje się wieloma stanami napięć w każdej komórce, co umożliwia zapisanie w niej więcej niż jednego bitu, w przeciwieństwie do pamięci typu SLC (ang. single-level cell), której komórka może znajdować się tylko w dwóch różnych stanach logicznych, przechowując jeden bit informacji.

Większość pamięci MLC jest zaprojektowana do zapisu 2 bitów informacji na każdą komórkę pamięci, co daje 4 możliwe do uzyskania stany logiczne. W czerwcu 2008 roku południowokoreański producent półprzewodnikowych pamięci Hynix zaprezentował pamięci TLC z trzema bitami na komórkę, czyli 8 stanami logicznymi w jednej komórce[1]. W październiku 2009 roku SanDisk rozpoczął produkcję pamięci flash w technologii QLC, która pozwala na przechowywanie 4 bitów w każdej komórce pamięci[2].

Do projektowania układów pamięci flash, dla których najważniejsza jest pewność zapisu i odczytu, podchodzi się w inny sposób, wręcz przeciwny: wykorzystuje się w nich dwie komórki pamięci do zapisu jednego bitu – dla zminimalizowania prawdopodobieństwa wystąpienia błędu.

Różnice SLC i MLC

Porównanie
SLC MLC
Gęstość 16 Mbit
32 Mbit 64 Mbit
Prędkość odczytu 100 ns
120 ns 150 ns
Rozmiar bloku 64 KB 128 KB
Architektura x8 x8/x16
Wytrzymałość 100 000 cykli 10 000 cykli
Tolerancja na
temperaturę 		duża mała

Przewagą technologii MLC jest większa gęstość upakowania danych i, co bezpośrednio z tego wynika, niższa cena w stosunku do pojemności. Natomiast wraz ze wzrostem liczby stanów napięć, granice między poszczególnymi stanami się zawężają, co skutkuje zwiększoną podatnością na błędy danych. Aby zredukować tak powstałe przekłamania wymagane jest zastosowanie bardziej złożonego oprogramowania do obsługi zapisu/odczytu.

W roku 2012 firma Samsung w swoich najnowszych napędach SSD serii 840 zaczęła stosować pamięci typu TLC (Triple Level Cell). Jest to 8-stanowy MLC, który ma jeszcze większą gęstość upakowania danych niż 4-stanowy MLC i umożliwia zapisywanie 3 bitów informacji na każdą komórkę pamięci[3]. Układy tego typu mają 10 krotnie mniejszą liczbę cykli zapisu niż pamięci wykorzystujące dwustanowy MLC i aż 100 krotnie mniejszą niż SLC. Liczba ta jest szacowana na około 500 cykli[4].

Przypisy

  1. ↑ Hynix develops triple level cell nand flash 30 percent cheaper (ang.)
  2. ↑ SanDisk X4 Techology (4 bit per cell) (ang.)
  3. ↑ Tomasz Kurzak, SSD (nie tylko) dla Kowalskiego [online], PCLab.pl, 2 stycznia 2017 [dostęp 2018-03-04] (pol.).
  4. ↑ http://web.archive.org/web/20131124102721/http://www.lsi.com/downloads/Public/Flash%20Storage%20Processors/LSI_PRS_AIS2012_NextGenerationFlash.pdf (ang.)

Linki zewnętrzne

Content Disclaimer

Informasi ini disarikan dari Wikipedia dan disajikan kembali untuk tujuan edukasi. Konten tersedia di bawah lisensi CC BY-SA 3.0. Kami tidak bertanggung jawab atas ketidakakuratan data yang bersumber dari kontribusi publik tersebut.

  1. The information displayed on this website is sourced in part or in whole from Wikipedia and has been adapted for the purpose of restating it. We strive to provide accurate and relevant information, however:
  2. There is no guarantee of absolute accuracy. Wikipedia is an open, collaborative project that can be edited by anyone, so information is subject to change.
  3. It is not intended to constitute professional advice. The content displayed is for informational and educational purposes only. For important decisions (e.g., medical, legal, or financial), please consult a professional.
  4. Content copyright. Wikipedia is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike License (CC BY-SA). This means that content may be reused with appropriate attribution and shared under a similar license.
  5. Responsible use. Any risk arising from the use of information from this website is entirely the responsibility of the user.
Kembali kehalaman sebelumnya