Полупроводниковые приборы

Интегральные схемы являются полупроводниковыми приборами. На фото - микросхемы постоянной памяти EPROM, удаление данных происходит под действием ультрафиолетового излучения ртутной лампы.

Полупроводниковые приборы, твердотельные приборы, ПП — широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников, и использующих их свойства в основе своего принципа работы.

Номенклатура

К полупроводниковым приборам относятся:

Интегральные схемы (микросхемы), в том числе микропроцессоры, микроконтроллеры, однокристальные системы (нашли широкое применение во всех мобильных устройствах, таких как смартфоны и планшетные компьютеры), ПЛИС, ПАИС.
Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны, диоды Шоттки), селеновые выпрямители,
Тиристоры, симисторы, динисторы, диаки, фототиристоры,
Транзисторы: однопереходные, биполярные, полевые, IGBT-транзисторы
Приборы с зарядовой связью,
Полупроводниковые СВЧ-приборы (диоды Ганна, лавинно-пролётные диоды),
Оптоэлектронные приборы (фоторезисторы, фотодиоды, лавинные фотодиоды, фототранзисторы, солнечные элементы, детекторы ядерных излучений, светодиоды, полупроводниковые лазеры, электролюминесцентные излучатели - светодиоды, полупроводниковые болометры),
Терморезисторы, датчики Холла.

История

в СССР

Исследование и первые попытки создания полупроводниковых приборов проводились в СССР ещё в 1920-х — 1930-х годах. В 1924 году в Нижегородской радиолаборатории учёный О. В. Лосев создал полупроводниковый детектор-усилитель и детектор-генератор электромагнитных излучений на частоты до десятков МГц. На этой основе впервые в мире было создано детекторное приёмопередаточное устройство — кристадин^[1].

Позже в СССР для развития отрасли были созданы научно-исследовательские институты и центры. В 1956 году введён в эксплуатацию Завод полупроводниковых приборов. Среди продукции завода на то время — пальчиковые лампы широкого применения и сверхминиатюрные стержневые лампы, первые полупроводниковые диоды Д2, диоды Д9, Д10, Д101-103А, Д11, стабилитроны Д808-813^[2].

в России

Холдинг «Росэлектроника» объединяет предприятия-производители электронной продукции.

Производство

Электронная промышленность
- Полупроводниковая промышленность
  - Полупроводниковые материалы

Контрактный производитель электроники (см. Контрактный производитель, OEM). Крупнейшие (на 2018) контрактные производители полупроводниковых микросхем: TSMC (доля рынка 55,9 %), GlobalFoundries — 9,4 %, UMC (United Microelectronics Corporation) — 8,5 %.

Микросхемы: см. Производство микросхем

При изготовлении микросхем используется метод фотолитографии (проекционной, контактной и др.), при этом схему формируют на подложке (обычно из кремния), полученной путём резки алмазными дисками монокристаллов кремния на тонкие пластины.

Примечания

↑ В. И. Стафеев. Начальные этапы становления полупроводниковой электроники в СССР (К 60-летию открытия транзистора) Архивная копия от 27 июля 2014 на Wayback Machine // 15.09.2009
↑ История предприятия на официальном сайте Завода полупроводниковых приборов (неопр.). Дата обращения: 27 июня 2014. Архивировано 13 декабря 2013 года.

Литература

С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х тт. 2-е изд. М., Мир, 1984.
М. С. Шур. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х тт. М., Мир, 1992.
Лебедев А. И. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Физматлит, 2008.
Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. — 8-е издание, исправленное.. — М.: Лань, 2006. — 480 с.
Шинкаренко В. Г. Полупроводниковые приборы : учеб. пособие для вузов. — М. : МФТИ, 2011 .— 172 с. — Библиогр.: с. 169—172. — 300 экз. — ISBN 978-5-7417-0376-2.
Шинкаренко В. Г. Электрические свойства полупроводников и полупроводниковые приборы : учеб. пособие для вузов. — М. : МФТИ, 2016 .— 294 с. + pdf-версия. — Библиогр.: с. 283—284. — 300 экз. — ISBN 978-5-7417-0601-5. Полный текст (доступ из сети МФТИ).