Альперович, Виталий Львович

Виталий Львович Альперович
Дата рождения 20 июня 1954(1954-06-20) (70 лет)
Место рождения
Страна
Род деятельности физик
Место работы
Альма-матер

Виталий Львович Альперо́вич (род. 20 июня 1954, Самарканд) — советский и российский физик. Доктор физико-математических наук (1999), профессор кафедры физики полупроводников физического факультета Новосибирского государственного университета (2000)[1].

Специалист в области физики полупроводников и оптической спектроскопии полупроводниковых структур. Автор и соавтор более 90 научных публикаций[1].

Биография

В. Л. Альперович родился 20 июня 1954 году в Самарканде в семье преподавателей. Он окончил физико-математическую школу при Новосибирском государственном университете в 1971 году, а затем с отличием окончил физический факультет НГУ по специальности «Физика» в 1976 году. После окончания университета Альперович начал работать в Институте физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР, где прошёл путь от лаборанта до ведущего научного сотрудника, которым является с 1996 года[2].

В Новосибирском государственном университете В. Л. Альперович работает по совместительству с 1985 года. Он начинал как старший преподаватель кафедры физики физико-математической школы, а затем перешёл на кафедру физики полупроводников физического факультета, где с 1994 года работал ассистентом, с 1995 года — доцентом, а с 2000 года — профессором[2].

Под его научным руководством защищено пять кандидатских диссертаций. Он является членом диссертационного совета при Институте физики полупроводников СО РАН и учёного совета этого института[2].

Научный вклад

Основные направления научной деятельности Виталия Львовича Альперовича связаны с исследованиями оптических, фотоэлектрических и фотоэмиссионных явлений в полупроводниковых структурах на основе соединений A3B5. Целью этих исследований является выяснение природы локализованных состояний и механизмов рассеяния, захвата и рекомбинации электронов на поверхности и границах раздела полупроводников[3].

Совместно с коллегами Альперович обнаружил новые поляризационные фотоэффекты на баллистических и горячих электронах. Он исследовал оптические и транспортные резонансы Ванье-Штарка в полупроводниковых сверхрешётках AlAs/GaAs, а также эволюцию электронных свойств поверхности p-GaAs(Cs,O) в процессе формирования состояния с отрицательным электронным сродством[3].

Альперович разработал методы Фурье- и фазового анализа спектров фотоотражения, позволяющие разделять вклады от поверхности и внутренних границ раздела тонкослойных эпитаксиальных структур и определять энергетические зонные диаграммы таких структур. Он также обнаружил и изучил фазовый переход в двумерном слое атомов цезия, адсорбированных на поверхности арсенида галлия[3].

Практическое значение полученных Альперовичем результатов связано с совершенствованием полупроводниковых фотоэмиттеров с отрицательным электронным сродством[3].

Библиография

  • Фотоэмиссия из p-GaAs(001) с неравновесными слоями цезия // Письма в ЖЭТФ. 2013. Т. 98, вып. 8. С. 513—517. (в соавт.)
  • Determination of built-in electric fields in delta-doped GaAs structures by phase-sensitive photoreflectance // Solid-state electronics. 1994. Vol. 37, № 4-6. Р. 657—660. (в соавт.)
  • Domination of adatom-induced over defect-induced surface states on p-type GaAs(Cs,O) at room temperature // Phys. rev. B. 1994. Vol. 50, № 8. Р. 5480-5483. (в соавт.)
  • Diffusion and ordering of Cs adatoms on GaAs(001) studied by reflectance anisotropy spectroscopy // Phys. rev. B. 1997. Vol. 56, № 24. Р. R15565-R15568. (в соавт.)
  • Surface passivation and morphology of GaAs(100) treated in HCl-isopropyl alcohol solution // Appl. surf. sci. 2004. Vol. 235. Р. 249—259. (в соавт.)
  • Polarized cathodoluminescence induced by low energy spin-polarized electrons injected in p-GaAs(Cs,O) // Nucl. instr. and meth. in phys. research. A. 2005. Vol. 536. Р. 302—307. (в соавт.)
  • Magnetically induced spin-dependent photoemission from p-GaAs(Cs,O) into vacuum // Phys. rev. B. 2008. Vol. 77, № 20. P. 205325 (6). (в соавт.)
  • Step-terraced morphology of GaAs(001) substrates prepared at quasi-equilibrium conditions // Appl. phys. lett. 2009. Vol. 94, № 10. P. 101908 (3). (в соавт.)

Примечания

Литература

  • Профессора НГУ. Физический факультет. Персональный состав. 1961—2014 гг. / Cост. Н. Н. Аблажей, С. А. Красильников; отв. ред. В. А. Александров. — Новосибирск: РИЦ НГУ, 2014. — 540 с. — ISBN 978-5-4437-0326-8.

Ссылки

Kembali kehalaman sebelumnya