西尔斯比效应(英語:Silsbee effect),或西尔斯比定则(Silsbee rule),是弗朗西斯·B·西尔斯比(Francis B. Silsbee)在1916年发表的一个关于超导的结论[1]:对于第一类超导体,超导临界电流在超导体表面产生的磁场强度等于超导临界磁场[2]。大于临界值的磁场会破坏超导态;大于临界值的电流也会破坏超导体的超导状态。临界电流的大小取决于材料的种类以及几何形状(对于截面半径为1毫米的导线,临界电流可达100安培)[3]。
^Mermin, Neil W. Ashcroft, N. David. Solid state physics 27. repr. New York: Holt, Rinehart and Winston. 1977: 730. ISBN 0030839939.使用|accessdate=需要含有|url= (帮助)
^ 4.04.1Tinkham, Michael. Introduction to superconductivity 2nd ed. Mineola, NY: Dover Publications. 2004. ISBN 0486435032. 引文格式1维护:冗余文本 (link)